2019 Q2 A Hynix második generációs 10nm folyamatmemóriát állít elő

  A SK hynix a közelmúltban kiderült, hogy a vállalat növeli az első generációs 10 nanométeres gyártási folyamatot (azaz 1X nm-es) DRAM-termelést, és elkezdi a második generációs 10 nanométeres gyártási technológiájának (más néven 1Y nm) eladását a második felében. év. Memória. A 10nm-es technológiára való áttérés felgyorsítása lehetővé teszi a vállalat számára, hogy növelje a DRAM-kimenetet, végső soron csökkentve a költségeket és felkészülve a következő generációs memóriára.

Az SK Hynix 1Y nm gyártási technológiájával előállított első termékek a 8 GB-os DDR4-3200 memória chipek. A gyártó azt mondja, hogy 20% -kal csökkentheti a 8 Gb-os DDR4-eszközök chipméretét és 15% -kal csökkenti az energiafogyasztását az 1X nm-es gyártási technológiájával gyártott hasonló eszközökhöz képest. Emellett a SK hynix közelgő 8 Gb-os DDR4-3200 chipje két fontos fejlesztéssel rendelkezik: egy 4 fázisú órajelzési séma és a Sense erősítő vezérlő technológia.

Bár ezek a technológiák az idei DDR4 számára is fontosak, azt mondják, hogy a SK hynix az 1Y nm-es gyártási folyamatát használja a DDR5, LPDDR5 és GDDR6 DRAM gyártásához. Ezért a Hynixnek a lehető leghamarabb frissítenie kell a második generációs 10 nanométeres gyártási technológiáját, hogy felkészüljön a jövőre.